1. 发明名称：量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法，
发明人：沈文忠，潘葳
申请日期：2006年12月14日，申请号：CN200610147220.2
公开日期：2007年7月18日，公开号：CN 101000874
授权日期：2009年1月7日，授权公告号：CN100449713C
专利号：ZL 200610147220.2
2. 发明名称：半导体无像元远红外上转换成像装置制造方法，
发明人：沈文忠，武乐可
申请日期：2006年11月2日，申请号：CN200610117889.7
公开日期：2007年4月11日，公开号：CN1945859
授权日期：2009年1月28日，授权公告号：CN100456503C
专利号：ZL 200610117889.7
3. 发明名称：带反射镜的无像元远红外上转换成像装置制造方法
发明人：沈文忠，武乐可，郝惠莲
申请日期：2007年5月24日，申请号：CN200710041124.4
公开日期：2007年11月28日，公开号：CN101079455
授权日期：2009年4月22日，授权公告号：CN100481528C
专利号：ZL 200710041124.4
4. 发明名称：氧气氛控制钇钡铜氧超导厚膜面内取向生长的制备方法
发明人：姚忻 蔡衍卿
申请日期：2007年5月31日，申请号：200710041485.9
公开日期：2008年1月23日，公开号：CN101109107
授权日期：2009年6月3日，授权公告号：CN100494516C
专利号：ZL200710041485.9
5. 发明名称：纯氧气氛下稀土钡铜氧超导块体材料的制备法
发明人：姚忻 颜士斌
申请日期：2009年2月12日，申请号：200910046103.0
公开日期：2009年8月12日，公开号：CN101503822
