授权国家发明专利3件：
1. 专利名称：晶体硅太阳电池少子寿命的快速测定方法
发明人：沈文忠，刘霄
授权日期：2014年1月6日
授权公告号：ZL 201210017659.9
2. 专利名称：多籽晶非对称(110)/(110)取向诱导生长REBCO高温超导块体的方法
发明人：姚忻，程玲，郭林山，吴越?
授权公告日：2015年1月21日
授权公告号：ZL 201210244120.7
3. 专利名称：三维微驱四电极可置换探头
发明人：刘灿华，葛剑峰，贾金锋
授权日期：2014年8月6日
专利号：ZL 201210330923.4
公开国家发明专利9件：
1. 高温超导带材临界电流连续测量装置及测量方法
发明人：李贻杰
申请日期：2014年7月14日，申请号：2014103317371
公开日期：2014年11月5日，公开号：CN 104133100 A
2. 一种制备纯a轴取向的YBCO液相外延膜的方法
发明人：姚忻，郭林山，陈媛媛，彭波南，王伟
申请日期：2013年10月31日，申请号：201310533809.6
公开日期：2014年1月22日，公开号：CN 103526283 A
3. 一种制备大尺寸高温超导单晶体的方法
发明人：姚忻，郭林山，陈媛媛，陈尚荣，彭波南，王伟
申请日期：2013年11月7日，申请号：201310548601.1
公开日期：2014年2月26日，公开号：CN 103603034 A
4. 一种生长REBCO高温超导准单晶体的方法
发明人：姚忻，王伟， 陈媛媛，彭波南，郭林山，崔祥祥，陈尚荣, 李昊辰
申请日期：2013年10月31日，申请号：201310534506.6
公开日期：2014年1月19日，公开号：CN 103541011 A
5. 一种在空气中制备a轴取向高温超导膜的方法
发明人：姚忻，郭林山，陈媛媛，彭波南，王伟
申请日期：2013年12月17日，申请号：201310693653.8
公开日期：2014年4月2日，公开号：CN 103696009 A
6. 一种制备钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体的方法
发明人：姚忻，王伟，崔祥祥，郭林山，陈媛媛，彭波南，陈尚荣
申请日期：2013年11月29日，申请号：201310629299.2
公开日期：2014年3月12日，公开号：CN 103628137 A
7. 一种嵌入式籽晶生长REBCO准单晶体的方法
发明人：姚忻，王伟，彭波南，郭林山，陈媛媛，庄宇峰，李昊辰
申请日期：2013年11月29日，申请号：201310628510.9
公开日期：2014年3月5日，公开号：CN 103614775 A
8. 一种嵌入式籽晶生长钙掺杂REBCO准单晶体的方法
发明人：姚忻，王伟，彭波南，郭林山，陈媛媛，雷一明，庄宇峰，李昊辰
申请日期：2013年11月29日，申请号：201310628453.4
公开日期：2014年2月26日，公开号：CN 103603043 A
9. 一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法
发明人：姚忻，王伟，陈媛媛，崔祥祥，陈尚荣
申请日期：2014年3月27日，申请号：201410119439.6
公开日期：2014年6月25日，公开号：CN 103882513 A
